一、  行业背景：光刻胶边缘修复需求

晶圆旋涂光刻胶时，浆料受离心力在边缘与背面堆积增厚形成“边缘珠”（Edge Bead），极易剥落产生颗粒、引发图形异常，须在涂胶软烘后、主曝光前做光刻胶边缘修复（EBR）。

化学 EBR 用溶剂喷淋，易污染、耗耗材；光学 EBR/WEE用紫外激光曝光边缘胶膜，显影时同步溶解，无溶剂、轮廓规整、洁净度高、成本低，是先进制程方向。边缘珠若未去除，会在后续曝光、刻蚀中转移为图形缺陷，直接拉低晶圆良率。波长须与光刻胶匹配：i-line（365nm）工艺配 355nm，KrF（248nm）配 266nm。该紫外光源长期依赖进口，国产替代正加速。

二、  光刻胶修复原理

光学 EBR/WEE 的原理是：晶圆涂胶软烘后，利用高能量紫外激光聚焦扫描晶圆边缘与背面的“边缘珠”区域。紫外光子能量高（355nm≈3.49eV、266nm≈4.66eV），被光刻胶感光基团吸收后直接发生光化学反应，使原本不溶于显影液的边缘胶膜转变为可溶；在后续显影工序中，被照射的边缘胶膜与主曝光图形同步溶解，从而精准去除边缘珠。

曝光时晶圆匀速旋转，激光束由边缘传感器定位、沿边缘环形逐点扫描，保证曝光带位置精确、剂量均匀。由于以光化学“冷加工”为主，热影响区极小，既不损伤玻璃/硅基底，也不波及邻近的正常光刻图形。

图 1  光学 EBR/WEE 光刻胶边缘修复工艺原理

三、  光刻胶修复对光源的要求

光学 EBR 对光源要求严苛：波长须与光刻胶吸收匹配（355/266nm）；脉冲宜短以减小热影响区；重频足够高以配合高速旋转晶圆逐点曝光；聚焦光斑须控制在微米量级以精确划定曝光边界，且高重频下能量不漂移；光束 TEM₀₀ 并支持外触发与旋转定位系统同步；整机紧凑、长寿命。传统进口纳秒 DPSS 脉宽 5–10ns，热影响大、体积大、交期长、成本高。

四、  杏林睿光MCC 系列微片激光器

杏林睿光的MCC 系列为半导体泵浦被动调 Q 固体微片激光器：808nm 泵浦 Nd:YAG 增益介质，与键合 Cr⁴⁺:YAG 可饱和吸收体锁模出 1064nm 窄脉冲，经非线性晶体倍频/和频得到 355nm（三倍频）、266nm（四倍频）。355nm 重频 1/5/10/20kHz，266nm 可达 30kHz；脉宽 650–750ps，单脉冲能量最高 20μJ；TEM₀₀ 光束，偏振比 >100:1；功率稳定性 <3% RMS；支持内/外触发，可与晶圆旋转系统联动；一体化密封激光头仅 45×33×120mm。

注：典型值，最终以出厂测试报告为准。

五、  MCC系列 核心优势

· 亚纳秒冷加工：650–750ps 远短于传统纳秒光源，热影响区更小，边缘轮廓锐利，减少残胶与过曝。

· 脉冲纯净无尾：前沿陡峭、后沿干净，单脉冲剂量精确，曝光一致性高。

· TEM₀₀ 高光束质量：聚焦光斑小，精确控制曝光带宽，不损伤邻近图形。

· 20/30kHz 高重频：266nm 达 30kHz，配合高速旋转晶圆逐点曝光，兼顾均匀性与产能。

· 外触发同步：与旋转定位联动；355nm 配 i-line、266nm 配 KrF，覆盖主流工艺。

· 紧凑易集成、国产替代：OEM 激光头小巧，TEC 恒温长寿命；自主量产，交期成本与售后更优。

如需了解更多产品信息，请联系杏林睿光销售团队！

引用

MCC系列750ps微片激光器

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